意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)的BiCMOS55SiGe[1]先进技术被欧洲E3NETWORK项目组采用，用于开发适合下一代移动网络的高效率、高容量数据传输系统。
移动数据使用量的迅猛增长，要求网络系统支持更大的容量和更高的数据传输速率。而如何加快移动网络向先进网络架构转型的速度，对移动回程线路(backhaul)基础设施是一个新的挑战，例如异构网络(Heterogeneous Network)与云端无线接入网络(RAN, Radio Access Network)，其中更高频段(例如E-band[2])可提供更大带宽，以支持更快的数据传输通道。
建设这些超高效率的移动网络，设备厂商需要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模集成电路电子元器件。E3NETWORK项目利用意法半导体的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工艺，开发出55纳米的Ft高达320GHz的异质双极晶体管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。这项制造工艺准许在一颗芯片上集成高频模拟模块与高性能、高容量的数字模块，例如逻辑电路、AD/DA转换器和存储器。
E3NETWORK项目采用意法半导体的BiCMOS55制造，目前正在研发一个集成化的E-band收发器，用于去程线路(Fronthaul)和回程线路基础设施，以实现数字多层调制，及高度聚焦的笔形波束(Pencil-beam)传输，数据速率可高达10Gbps。笔形波束的属性有助于提高回程线路和去程线路频率再用率，同时在毫米波(millimeter-wave)间隔期间保护频谱利用率(Spectrum efficiency)不受影响。
作为欧盟第7框架计划中的一个项目，E3NETWORK(Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)汇集了众多企业，其中包括CEIT(西班牙)、Fraunhofer(德国)、阿尔卡特朗讯(意大利)、CEA(法国)、INXYS(西班牙)、OTE(希腊)、SiR(德国)、Sivers IMA(瑞典)和意法半导体(意大利)。
编者注：
ST的BiCMOS技术将两种不同制造工艺的优势整合在一颗芯片上，双极晶体管提供高传输速率及高增益，这对于高频模拟电路至关重要，而CMOS元器件在构建简单、低功耗逻辑门方面的应用表现也非常出色。
通过在一颗芯片上集成射频、模拟及数字电路，意法半导体BiCMOS55 SiGe器件不仅大幅降低了外围设备的数量，亦能够同时进行功耗优化。