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三星、Hynix计划增产NAND型快闪记忆体

2007-06-04 10:262210
    韩国两大半导体业者-三星电子与Hynix日前表示,将逐步增产快闪记忆体,主要是为了因应最大客户美国Apple预定于6月在美国发售的行动电话“iPhone”之需求。两家公司计划将目前价格持续滑落的PC用DRAM生产线,部份产能转为生产快闪记忆体。  

    两家公司计画增产的产品,为以记忆卡、MP3随身听等为主要用途的NAND型快闪记忆体。三星在该市场为全球龙头大厂,Hynix则排名第三。两家公司合计市占率达6成以上。  

    Hynix半导体社长金贞秀表示,目前已开始将位于首尔郊区的利川工厂部份DRAM生产线,转为量产NAND型快闪记忆体,总产能最高将可扩充4成。三星电子也指出,虽然目前幅度不大,但已开始增产快闪记忆体。两家公司表示,除预定于6月上市的iPhone外,Apple可望于年底前推出的新世代iPod,预料也将带动快闪记忆体需求,因而决定逐步增产因应。 
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