三星采用30纳米工艺研制出64G闪存芯片

    从国外媒体处获悉：全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布，已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。

    三星电子公司表示，他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前，该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用五十纳米工艺。

    三星电子公司在一份声明中说，64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子产品对于存储介质的需求。

    三星电子公司表示，64GB的闪存芯片属于全世界首创。它的问世，也是闪存行业连续八年让容量翻倍，也是连续七年在芯片制造工艺上获得提升。

    三星电子说，他们将在2009年开始量产这种高容量闪存芯片。

    众所周知的是，闪存在供电取消之后仍然可以保存数据，和硬盘相比稳定性更高，功耗也越少，目前被广泛用于包括音乐播放器、手机、数码相机在内的消费电子产品。多家公司甚至已经生产出可以用于电脑的闪存混合硬盘。业界普遍认为，随着闪存价格不断下降，未来硬盘将逐渐被闪存所取代。

    需要指出的是，去年，三星电子宣布生产出了32GB容量的闪存芯片，当时采用的是四十纳米的半导体制造工艺。三星电子公司发言人说，他们将在明年量产32GB的闪存芯片。