45纳米工艺第三势力窜起　力抗晶圆双雄

    全球晶圆代工厂90、65纳米工艺竞赛方兴未艾，45纳米工艺战鼓却已提前敲响，被视为是“第三势力”的新加坡特许（Chartered）、IBM、三星电子（Samsung Electronics）及英飞凌（Infineon），30日共同宣布全球第一款45纳米芯片问世，预计2007年底前完成验证，相较于台积电、联电均计划于2007年下半半投入45纳米工艺，特许等厂脚步丝毫不落后，对两者威胁将与日俱增。 

    半导体业者表示，特许等4家厂商共同宣布45纳米芯片及设计工具组问世，预料将对台积电、联电45纳米工艺技术造成不小压力，尽管台积电45纳米工艺已可做到零缺陷密度，计划于2007年下半年量产；联电同样已于12A厂建置完成45纳米生产工具，预计2007年下半年推出低耗电45纳米芯片，2008年上半年推出45纳米标准工艺，然特许、三星等业者在新一代工艺急起直追，恐将冲击两厂。 

    半导体业者指出，目前各家晶圆代工厂都将2007年下半年视为45纳米工艺竞赛重要起跑点，谁都不想输、也输不得。值得注意的是，这次4家业者联合发表45纳米工艺，其中，三星近期在晶圆代工市场便表现相当积极，甚至不惜大砍90纳米工艺报价，以争取客户青睐，如今包括特许、三星等均通过联合技术平台，在先进工艺技术已丝毫不逊于台积电、联电，预料未来竞争将愈趋激烈。 

    事实上，特许挟其技术平台伙伴IBM、三星及英飞凌支持，近年来快速累积技术实力，工艺推出时程从原本在90纳米工艺明显落后，到65纳米工艺已渐追平晶圆双雄，甚至在特殊工艺领域，更是少数拥有绝缘层上覆硅（Silicon-on-Insulator；SOI）技术的厂商，凭借技术领先更使得特许在2006年上半年超越中芯，稳坐全球第三大晶圆代工厂，如今又抢先推出45纳米芯片，进展速度之快震惊业界。 

    特许表示，除发表最新45纳米芯片，同时发表4家公司所共同开发的早期设计（early design）工具组，这套以低耗电（low-power）工艺技术为基础的设计工具组，将有助于客户快速转换工艺至45纳米，且已精选部份客户率先采用，预计将用于生产行动芯片，并于2007 年底验证完成。 

    英飞凌则指出，该款芯片已在IBM美国纽约州East Fishkill的12英寸晶圆厂生产，并通过英飞凌所提供标准组件库（standard cell library）和I/O组件，以及该联盟所开发嵌入式存储器验证，预计2007年底将在其余3家的12英寸晶圆厂安装并完成验证。